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IFUSP: Curso de Verão 2013 - Efeitos da Radiação Ionizante em Dispositivos Eletrônicos

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Publicado em Mon Feb 25 11:50:54 GMT-03:00 2013
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IFUSP: Curso de Verão 2013

Radiação ionizante que incide em dispositivos semicondutores pode alterar suas propriedades, modificando os parâmetros elétricos que os caracterizam e, no caso de memórias ou processadores, pode modificar a informação contida nesses dispositivos. A investigação e entendimento dos efeitos da radiação em componentes eletrônicos deve contribuir de forma relevante para o desenvolvimento de tecnologia aeroespacial nacional. Para compreender os fenômenos físicos responsáveis pelas alterações nos dispositivos expostos à radiação ionizante, experimentos são realizados utilizando vários tipos de radiação, como os raios-X, raios gama, prótons, partículas alfa e íons pesados. Os efeitos da radiação ionizante sobre dispositivos eletrônicos são divididos basicamente em três categorias: "Total Ionizing Dose" (TID), uma dose cumulativa que pode alterar as características do dispositivo eletrônico; "Single Event Effect" (SEE), um efeito transitório que pode depositar carga diretamente no dispositivo e perturbar as suas propriedades e "Displacement Damage" (DD) que provoca o deslocamento dos átomos do retículo cristalino. Está sendo desenvolvida uma metodologia para testes e caracterização de dispositivos eletrônicos quando submetidos à radiação induzida por raios-X, feixes de prótons e feixes de íons pesados. Os ensaios estão sendo realizados no IFUSP (prótons e íons pesados) produzidos pelos aceleradores do tipo Pelletron de 1,7 MV e 8,0 MV do Instituto de Física da USP e também no Centro Universitário da FEI (raios-X). Os testes estão sendo realizados em dispositivos eletrônicos comerciais e também em dispositivos mais tolerantes à radiação, desenvolvidos por grupos de pesquisa brasileiros.