Radiação ionizante que incide em dispositivos semicondutores pode alterar suas propriedades, modificando os parâmetros elétricos que os caracterizam e, no caso de memórias ou processadores, pode modificar a informação contida nesses dispositivos. A investigação e entendimento dos efeitos da radiação em componentes eletrônicos deve contribuir de forma relevante para o desenvolvimento de tecnologia aeroespacial nacional. Para compreender os fenômenos físicos responsáveis pelas alterações nos dispositivos expostos à radiação ionizante, experimentos são realizados utilizando vários tipos de radiação, como os raios-X, raios gama, prótons, partículas alfa e íons pesados. Os efeitos da radiação ionizante sobre dispositivos eletrônicos são divididos basicamente em três categorias: "Total Ionizing Dose" (TID), uma dose cumulativa que pode alterar as características do dispositivo eletrônico; "Single Event Effect" (SEE), um efeito transitório que pode depositar carga diretamente no dispositivo e perturbar as suas propriedades e "Displacement Damage" (DD) que provoca o deslocamento dos átomos do retículo cristalino. Está sendo desenvolvida uma metodologia para testes e caracterização de dispositivos eletrônicos quando submetidos à radiação induzida por raios-X, feixes de prótons e feixes de íons pesados. Os ensaios estão sendo realizados no IFUSP (prótons e íons pesados) produzidos pelos aceleradores do tipo Pelletron de 1,7 MV e 8,0 MV do Instituto de Física da USP e também no Centro Universitário da FEI (raios-X). Os testes estão sendo realizados em dispositivos eletrônicos comerciais e também em dispositivos mais tolerantes à radiação, desenvolvidos por grupos de pesquisa brasileiros.