Nas últimas décadas, houve um progresso considerável no estudo do transporte de elétrons em sistemas em escala micro e nanométrica. A fabricação bem-sucedida de componentes eletrônicos modernos, por exemplo, transistores de efeito de campo balístico, requer uma compreensão fundamental do mecanismo de transporte da portadora de carga. O mecanismo comumente aceito para as propriedades de transporte é descrito semi-clássico ou pelo formalismo de Landauer-Buttiker (LB). Nós vamos conhecer alguns efeitos experimentais e modelos teóricos empregados para compreensão deles.