Camadas finas, multicamadas ou nanoestruturas crescidas por técnicas de epitaxia em um substrato cristalino orientado constituem-se em plataformas para o estudo de novas propriedades em física da matéria condensada. A determinação das propriedades estruturais é essencial para o entendimento dos novos efeitos observados. Durante a palestra é apresentada uma visão geral das técnicas de difração e refletividade de raios X aplicadas à caracterização de camadas epitaxiais, multicamadas e nanoestruturas de materiais semicondutores, utilizando tanto difratômetros convencionais como radiação síncrotron. Ênfase é dada aos compostos semicondutores dos grupos IV-VI e V-VI crescidos por epitaxia de feixe molecular no LAS/INPE. A capacidade de se obter informação estrutural em escala nanométrica é explorada na apresentação.
Informação sobre o palestrante:
Possui graduação em Física pela Universidade Federal de Minas Gerais (1983), mestrado em Eletrônica e Telecomunicações pelo Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (1986) e doutorado em Física da Matéria Condensada pela Johannes Kepler Universität Linz na Áustria (1993). Ingressou em 1986 como pesquisador no Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais - INPE, onde ocupa hoje o cargo de Tecnologista Sênior. Entre dezembro/2001 e dezembro/2006 foi Chefe do Laboratório Associado de Sensores e Materiais no INPE e de dezembro/2006 a agosto/2012 foi Coordenador dos Laboratórios Associados do INPE. Assumiu o cargo de Coordenador de Planejamento Estratégico e Avaliação do INPE entre agosto/2012 e maio/2015. Tem experiência na área de Física, com ênfase em Física da Matéria Condensada, atuando principalmente nos seguintes temas: materiais semicondutores, técnicas de crescimento epitaxial, difração de raios X de alta resolução, medidas de transporte e propriedades elétricas e magnéticas de materiais. (Texto informado pelo autor)